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2019世界工业互联网产业大会以“智联互通 智享共赢”做主题报告

西门子深爱激情网內容   查阅次数:2807   更新时间: 2019-07-27 10:39

7月25日上午,由工業和信息化部、中國科學院、中國工程院指導,青島市人民政府主辦的2019世界工業互聯網産業大會在青島香格裏拉大酒店隆重開幕。

大会以“智联互通 智享共赢”为主题,围绕深化“高端制造业+人工智能”发展工业互联网,会期两天,设置了主题演讲、主题报告、平行论坛等板块,国内外最顶尖的研究者和业内最前沿的实践者参会并分享创新理念和实践经验。

大會開幕式上,工業和信息化部總經濟師王新哲,青島市委副書記、市長孟凡利致辭。青島市政府常務副市長薛慶國主持會議。上午的主題峰會上,來自德國國家科學與工程院、新加坡工程院、海爾集團、華爲集團等的學者和企業高管參與交流並做主題報告。

國家工信部總經濟師王新哲:引導各方協同,推動工業互聯網發展

王新哲總經濟師在致辭中指出,工業互聯網作爲新一代信息技術與制造業深度融合的産物,對于深化供給側結構性改革,釋放數字經濟增長潛能,實現經濟高質量發展,具有重要的意義。工業和信息化部作爲深爱激情网主管部門,將重點做好五個方面工作:一是加強技術創新,增強發展活力;二是強化能力建設,夯實發展基礎;三是加大應用拓展,實現市場牽引;四是提高防護能力,加強安全保障;五是深化國際合作,促進開放發展。

對于青島在發展工業互聯網方面進行的探索和相關工作。他指出,青島是我國工業互聯網發展的重要區域,打造了領軍企業輸出、示範梯隊跟進、業態創新突出的青島特色工業互聯網發展模式。此次世界工業互聯網産業大會在青島召開,爲推動工業互聯網各領域協同創新、融合發展搭建了一個國際交流合作的平台。

青島市市長孟凡利:工業是青島的立市之基

孟凡利在致辭中指出,近年來,青島市不斷加快信息化和工業化深度融合的步伐,促進工業向數字化、網絡化、智能化方向轉型,工業互聯網正成爲青島加快新舊動能轉換的重要支撐。

青岛市市长 孟凡利

青島將立足工業基礎優勢,更加深入地實施工業互聯網創新發展戰略,加快推進工業質量變革、效率變革、動力變革,努力實現創新轉型發展。他希望與會來賓繼續關心支持青島工業互聯網發展,歡迎更多的專家和企業家來青島開展創新創業實踐。青島市將全力打造一流營商環境和創新創業生態,努力爲大家在青島的生産生活提供最優質服務。

海爾集團總裁周雲傑:要麽擁有平台,要麽被平台擁有

周雲傑在演講中提到,工業互聯網是互聯網的下半場,是集移動互聯網之後最大的經濟機會和經濟活動,在這個清晰定位下,任何企業都要抓住工業互聯網的機會。在工業互聯網時代,要麽擁有平台,要麽被平台擁有。只有平台才可以無縫連接世界,中國需要世界級的工業互聯網平台。

海爾COSMOplat是具有中國自主知識産權,全球第一家引入了用戶圈流程參與體驗的工業互聯網平台,以其場景、廣開源、全連通的特點,COSMOplat已經構建了泛在物聯、知識沈澱、數據分析、安全保障、生態聚合的五大能力。目前已經連接的設備達到了4千多萬台,工業App到了2千多萬個,連接了3億多用戶,在B端用戶有4.3萬家,開發者1萬多個,真正的形成了一個開放的平台。演講最後,他表示,工業互聯網只有擁有開放的平台,成爲開放的生態,才會有生命力。

華爲EBG副總裁喻東:共同構建萬物互聯的智能世界

喻東在分享中提到,在當前所處的數字和ICT産業周期裏,前半段30年産生了很多像微軟、英特爾、谷歌、亞馬遜等大公司,後半段則面臨如何把這些理論突破在産業中大規模的使用的問題。

而這樣複雜棘手的問題絕對不是單一的技術就能夠解決掉的,因此,産業周期的後半段更多的是如何綜合應用各種技術的集成應用。華爲主張構建萬物互聯的智能世界,主要有四個關鍵點:第一無處不在的聯接,第二是無所不及的智能,第三是個性化的體驗,第四就是依靠平台的實現方式。

喻東認爲,要構建一個工業的平台,不是顛覆,也不是替代,是始能、是幫助。平台沒有吞噬整個世界,平台正在支撐世界,能夠支撐物理世界,也支撐數字世界。

開幕式上還舉行了青島市工業互聯網標志性項目啓動儀式,發布了四大標志性項目,一是啓動籌建中國工業互聯網研究院山東分院,二是啓動建設工業互聯網平台應用創新體驗中心,三是啓動深爱激情网首個“工業領域數據管理能力成熟度評估”試點,四是發布《青島市5G産業發展行動方案》,公開征求意見。

同時,以本次大會爲産業合作平台,青島大學、青島港、青島國信發展集團、青島農商銀行等院校、企業與華爲集團簽署一系列項目落地協議。雙方將加強人工智能等新一代信息技術高端制造業方面的合作,華爲將助力青島成爲超高清視頻産業的領先者、虛擬現實産業的領導者、人工智能+産業的創新者。

下午主題報告環節中,國家工業信息安全發展研究中心主任尹麗波、中國信息通信研究院副院長余曉晖、西門子中國研究院院長朱骁洵等十多位專家學者和業界領袖,分別圍繞各自研究課題或發展領域,結合相關的理念和案例,分享了各自的經驗和觀點。

26日,大會還將圍繞工業信息安全,5G+AI賦能傳統制造,工業互聯網生態創新,工業互聯網産融生態,數字化賦能智能制造、智慧城市、智慧能源,聲像大數據技術應用創新等領域舉辦6場平行主題論壇,研討解決方案、交流産業技術,面向産業發展、深入深爱激情网應用、關注創新要素、研討未來治理,在展示青島最新發展成果的同時,推動工業互聯網與工業各領域協同創新。

会议现场还设有以“工业互联网生态之城” 为主题的小型展览展示,突出工业互联网的最新成果和5G在工业互联网领域的应用,中国信息通信研究院、国家工业信息安全发展研究中心、海尔集团等单位,从网络、安全、平台等方向与会嘉宾们展示了工业互联网最新技术成果和应用实践。

原文標題:聚焦ABB——2019世界工業互聯網産業大會

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关于ASML EUV工艺的最新信息进展

在上周的Semicon West上,ASML提供了有关当前EUV系统以及正在开发的0.55高NA系统的最新信息。

Anthony Yen是ASML的全球技术开发中心副总裁兼负责人。在过去的两年里,他的谈话几乎总是以同样的方式? ? :“EUV几乎已经为HVM做好了准备。”但这次却是与众不同的,“截止目前,EUV在准备HVM中”。

據悉,ASML今年又運送了7個NXE:3400B系統,共計11個新系統。這使得該領域的EUV系統總數達到50個,盡管並非所有系統都被認爲具有HVM功能。ASML預計到今年年底,第三季度將增加7個系統,到第四季度將增加12個系統,共計30台機器。

主要模塊

當提到當前3300/3400系統的主模塊時,有許多關鍵組件。有液滴發生器,從那裏産生錫水滴。這些液滴被撞擊,産生EUV光,其被引導到中間焦點。

由此,我們可以突出顯示影響系統正常運行時間和功率的一些關鍵因素。爲了改善系統,您需要高輸入CO2激光器。然後,該激光器將錫滴液噴射。發生這種情況時,您需要高轉換效率和高收集效率。這是通過橢圓形EUV收集鏡完成的。這裏有兩個焦點,第一個是當錫被撞擊時,然後在第二個焦點處重新聚焦。最後,液滴捕集器收集未能破裂的液滴。因此,提高效率和降低劑量開銷是關鍵。

在他们的实验室,Yen报告说ASML已经为源功率实现了超过300瓦的功率。目前,客户现场安装的源电源仍为250 W.在250 W时,客户每小时最大吞吐量约为155片晶圆。今年早些时候英国的Britt Turkot在2019年的EUVL研讨会上证实了这些数字。

阻礙系統可用性的一個組件是液滴發生器。ASML報告稱,自2014年以來,液滴發生器已從2014年的約100小時變爲2019年的1000多小時。自去年以來,它們將液滴發生器的使用壽命提高了30%。值得注意的是,這裏可以進行其他改進。再填充錫罐需要額外的停機時間。正如您稍後將看到的,這將在今年晚些時候解決。

另一个值得关注的是收集器本身。这是一个650毫米直径的多层分级镜,旨在最大限度地提高反射性。这里的关键问题是如何使其尽可能保持清洁,防止其起雾或被污染。目前客户安装了NXE:3400B系统,Yen报告的每千兆脉冲的降解率约为0.15%。ASML希望在相同功率下将其降至低于0.1%/ Gp。

今天,收集器遵循相當可預測的壽命,這種壽命在大致線性趨勢下降低。收集器降級後,需要進行交換。這是一個問題。幾年前,這可能需要一周時間。今天,它需要一天多一點。ASML打算用下一代NXE:3400C將其減少到不到8小時。

NXE:3400C

在今年下半年,ASML将开始出货其下一代EUV系统。NXE:3400C是一种进化工具,旨在进一步解决前面描述的一些缺陷。该系统的额定值为175 WpH,20 mJ /cm?。在第二季度财报深爱激情网会议上,ASML报告称该系统在实验室运行时为175 WpH,达到2000 WpD,在与客户相同的内存深爱激情网条件下运行。

新系統的一個特殊功能是模塊化容器,經過重新設計,易于維護。Yen說他們希望使用這個系統可以將收集器的交換從一天減少到不到八小時。此外,他們已經改變了液滴發生器補充程序。沒有任何人需要關閉系統電源以重新填充容器,然後將系統重新聯機。現在可以通過內聯方式重新填充新系統。總而言之,通過所有這些變化的組合,他們希望達到目標95%的可用性。

EUV pellicle

EUV的另一個問題是粒子帶來的前端缺陷。當涉及到光罩區域的清潔度時,它們每10,000次曝光接近1個粒子。

對于每10,000次曝光不能容忍1個顆粒的客戶,可以選擇EUV薄膜。這是一個覆蓋掩模版的超薄透明膜,旨在防止顆粒到達掩模版。雖然這有助于解決缺陷,但今天使用薄膜的問題是光透射率的降低。當一些EUV被薄膜吸收時,會轉化爲功率損失。這方面的進展非常緩慢。在過去的一年半中,平均透光率僅提高了約3.5%至83%。一個好的目標是超過90-93%的透射率,但目前還不清楚該深爱激情网是如何實現這一目標的。

High-NA系統

再往前看,ASML已经开始使用High-NA系統了。第一个系统预计将在2021年底之前发货。High-NA系統比目前的3400系统更大更重。该机器采用截然不同的镜头系统,使用0.55 NA变形镜头。这些镜头的额定半波长为8nm,在x方向上放大4倍,在y方向上放大8倍。由于镜头有一半的视野,该系统增加了一些额外的阶段,旨在提高加速度。

High-NA系統没有改变的一点是与3400系统兼容的源。值得指出的是,与现在相比,它在High-NA系統中实际上位于更加水平的位置,这将允许它们移除镜子。效果类似于将功率增加超过30%。

完成镜头放大率的增加以减少阴影效应。然而,4x / 8 1:2放大率的影响是电路设计本身。使用标准的6英寸光掩模,在标准0.33 NA机器上,您可获得4x / 4x光罩,这意味着33 mm×26 mm的全光场,最大芯片尺寸为858mm?。对于具有变形光学器件的0.55 NA,您在y方向上看8倍,因此您的场地现在减半。对于电路设计人员而言,这意味着有效磁场为16.5 mm x 26 mm,最大裸片尺寸为429mm?。

目前,仍然存在一些與基礎設施有關的重大挑戰,High-NA的掩模基礎設施還沒有。

一個值得注意的問題是前面討論的面具3D效果。它需要新穎的吸收劑以最小化問題。當芯片設計人員完成IC設計時,設計將從文件傳輸到光掩模中。該掩模用作主模板,通過在晶片上印刷圖案,掃描儀可以從該模板有效地印刷IC的許多副本。傳統上,這是通過掩模投射光來完成的。這個過程很像典型的高架投影儀,除了向後。對于EUV,面具是完全不同的。這裏,掩碼實際上是基于鏡像類型的掩碼空白。通過使用吸收材料以及抗反射塗層在掩模上“繪制”不同的電路圖案。

在操作過程中,當光線照射到掩模版上時,有時這些結構的反射會引起陰影效應和像差。

盡管這個問題已經有很長一段時間了解,但研發主要集中在EUV的其他方面,如主模塊和電源。此外,這些效果在7納米節點上也沒有太大問題。然而,降至5納米和3納米,掩模3D效果將變得更加明顯。

另外,光刻膠與High-NA掩模須在同一側,還有很多工作要做。

500 W功率的High-NA系統

再看一点。Yen说,在他们的圣地亚哥实验室,ASML已经设法达到450 W的功率。“当我们的High-NA扫描仪出现时,我相信我们将超过500 W,”他补充道。大约500 W是ASML需要在其高NA半场扫描仪上达到150 WpH,60 mJ /cm?的地方。

原文标题:深度揭秘:ASML EUV工艺最新进展

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